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鉭電容在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用

      鉭電容的電介質(zhì)層是一層五氧化二鉭薄膜,覆蓋在每顆鉭芯表面上。其采用陽極化工藝,由厚5nm~10nm的N型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導(dǎo)體層復(fù)合而成。層厚與陽極化電壓成比例,同時決定了元件的額定電壓。對用于6V電池應(yīng)用的固鉭電容而言,最終的鉭電介質(zhì)層厚度為0.04微米或者40納米。

  超大容量的MLCC則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質(zhì)薄層的方式來制造,這樣比鉭電容的要厚得多。MLCC采用層疊工藝,最終制造出多層電容。與鉭電容一樣,MLCC的電介質(zhì)層厚度決定了額定電壓,電介質(zhì)層數(shù)決定了容量。介電常數(shù)的差異導(dǎo)致了IR的巨大差別。

  鉭電容的DCL會因為正極表面的機(jī)械損壞或者氧化層表面的破裂而上升。正極的外表面屬于易損部分,受到熱、機(jī)械和電氣作用的共同影響。表面DCL會受濕度的影響,并導(dǎo)致長時間工作的不穩(wěn)定。

  改進(jìn)鉭芯的生產(chǎn)工藝,更好地控制氧化物層的厚度,在鉭芯的外表面生成較厚的電介質(zhì)薄膜,防止其受到機(jī)械損壞,從而大幅改善DCL性能,降低DCL.除了改進(jìn)鉭電容的正極結(jié)構(gòu),與聚合物負(fù)極結(jié)構(gòu)相比,鉭電容的二氧化錳負(fù)極結(jié)構(gòu)具有更為優(yōu)異的 DCL 性能,因該材料有更好的導(dǎo)電性。

      因為某些醫(yī)療設(shè)備需要高可靠性,特別是對關(guān)鍵任務(wù)型應(yīng)用而言,電容生產(chǎn)廠家提供穩(wěn)健且保守的設(shè)計來滿足性能需求。通過精心的鉭芯和鉭粉設(shè)計,醫(yī)用鉭電容的性能會高出標(biāo)準(zhǔn)的商用鉭電容以及采用傳統(tǒng)技術(shù)生產(chǎn)的高可靠產(chǎn)品。

  生產(chǎn)廠家會對每種設(shè)計適用的鉭粉進(jìn)行評估。隨電容器CV的增長,失效率隨之增長,因此應(yīng)針對具體的設(shè)計選擇合適粒徑的鉭粉。對醫(yī)用級設(shè)計而已,其目的是在可用的外殼尺寸范圍內(nèi)提供更為可靠的DCL性能。對商用級設(shè)計而言,其目的是通過以最小的可用外殼尺寸提供更高的-k CV鉭粉,從而盡量降低成本,最大化設(shè)計收益。因此商用鉭電容的DCL總體上會高于醫(yī)用鉭電容。

信息來自:鉭電容  陶瓷電容  二、三極管  晶體振蕩器
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